近幾個月，全球領先的集成電路制造和技術服務提供商長電科技宣布，公司在先進封測技術領域又取得新的突破，實現4納米(nm)工藝制程手機芯片的封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。 4納米芯片是5納米之后、3納米之前*先進的硅節點技術，也是導入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領域的頂尖科技產品之一，4納米芯片可被應用于智能手機、5G通信、人工智能、自動駕駛，以及包括GPU…
查看詳情 高壓除泡機設備使用完后的維護和保養 1、檢查高壓除泡機各設定值是否與使用說明書一致 高壓除泡機使用一段時間后，需要檢查確認設備溫度調節器的各設定值(SV值、PV值)是否正確，如果PV值設定混亂的話，即使用裝置是下正常狀態，也會有溫度高、壓力高的情況出現，所以需要按使用說明書進行設定。 2、檢查門墊是否有傷 高壓除泡機門墊如果有出現損傷現象，加壓時會從門部漏氣，可以聽到漏氣的聲音，需要及…
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硅錠直徑從20世紀50年代初期的不到25mm增加到現在的300mm，硅片直徑的歷史發展趨勢如圖所示。 目前生產直徑為75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的設備仍在使用中，由于把設備升級成能生產更大直徑的硅片需要花費上億美元，所以最常見的做法是在建設新工廠時才引入新的硅片直徑。在2000年左右，半導體產業開始轉向300mm直徑的硅片，進而把對硅片直徑的評估測試已經提高到400mm…
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芯片3D封裝技術，又稱為疊層芯片封裝技術，是指在不改動封裝體尺寸的前提下，在一個封裝體內的垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術。近年來，支撐3D封裝的關鍵技術硅通孔(Through Silicon Via，TSV)不斷獲得突破，國際芯片巨頭加快布局，以TSV為核心的3D封裝技術已成為業界公認的新一代封裝技術的重要發展方向。在后摩爾時代，如何結合我國芯片封裝產業優勢，發力3D封裝關鍵共性技…
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以Underfill為例，在CSP、BGA、POP、Flip chip等工藝中中底部填充是封裝技術中關鍵的工藝流程之一。簡單來說，底部填充工藝(underfill)是將環氧樹脂膠水點涂在倒裝晶片邊緣，液體通過氣液界面處的毛細作用滲透到狹窄的間隙中，這一過程稱為微毛細管流動。倒裝芯片封裝中，將底部填充環氧樹脂填充到芯片和基板之間的間隙中，以防止焊料凸點上的裂縫和熱疲勞導致的電氣故障。硅芯片和…
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1.本技術涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶圓輔助切割裝置及晶圓壓膜機。 背景技術： 2.晶圓(wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，成為有特定電性功能的集成電路產品。 3.晶圓必須經過壓膜才能進行后續曝光、顯影等工藝。在壓膜過程中，先將單一芯片放置在用臨時鍵合材料或熱釋放膠帶(trt)處理過的襯底上，然后…
查看詳情 在LED生產中很可能會產生的問題是芯片封裝時，杯內汽泡佔有很大的不良比重，但是產品在制作過程中如果汽泡問題沒有得到很好的解決或防治，就會造成產品衰減加快的一個因素，從而會表現出IV降低、IR變大、VF升高。那麼，氣泡的存在和膠的攪拌充分與否有關係?攪拌結束后抽真空是否徹底有多大關係?環境的溫度和濕度對氣泡產生是否有較大的影響?是不是點膠方式存在問題也會對氣泡的比重有關係?下面我們僅從業內人士給…
查看詳情 隨著全球半導體產業的大發展，越來越多的產品制程需要采用貼合、底部填充膠、灌注封膠或涂覆膠等工藝。但是在上述工藝制程中，貼合面、膠水或銀漿中經常會產生氣泡或空洞，導致產品密封性差、散熱性差，嚴重影響產品可靠性、一致性，降低良率，甚至造成電子元器件功能失效，發生質量事故。如何有效消除制程中的氣泡呢?臺灣ELT20年專注半導體封裝氣泡解決方案，推出的真空壓力除泡烤箱，除泡快、潔凈度高、操作簡便。 …
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臺灣經濟日報援引業內人士消息，近期 8 寸晶圓市況率先反轉，“急轉直下”，預計后期或將蔓延至 12 寸存儲芯片用晶圓，再延伸到 12 寸邏輯 IC 應用，預期客戶端將于第 4 季到明年第 1 季進行庫存調整。 此外，消息人士還提到，有部分晶圓廠商已同意一些下游長約客戶要求，延后拉貨時程，同時也有晶圓廠還未對于客戶要求讓步。 據了解，晶圓代工廠客戶砍單，產能利用率下滑，這也讓先前大鬧…
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